’S e teicneòlas gràbhaladh tioram aon de na pròiseasan as cudromaiche. Tha gas gràbhaladh tioram na phrìomh stuth ann an saothrachadh leth-chonnsachaidh agus na thùs gas cudromach airson gràbhaladh plasma. Bidh a choileanadh a’ toirt buaidh dhìreach air càileachd agus coileanadh an toraidh chrìochnaichte. Tha an artaigil seo gu sònraichte a’ roinn dè na gasaichean gràbhaladh a thathas a’ cleachdadh gu cumanta sa phròiseas gràbhaladh tioram.
Gasaichean stèidhichte air fluorine: leithidtetrafluoride charbon (CF4), hexafluoroethane (C2F6), trifluoromethane (CHF3) agus perfluoropropane (C3F8). Faodaidh na gasaichean seo fluaraidean luaineach a chruthachadh gu h-èifeachdach nuair a thathar a’ seargadh silicon agus todhar silicon, agus mar sin a’ toirt air falbh stuthan.
Gasaichean stèidhichte air clòirin: leithid clòirin (Cl2),triclòraid boron (BCl3)agus tetrachloride silicon (SiCl4). Faodaidh gasaichean stèidhichte air clòirin ianan clòirid a thoirt seachad rè a’ phròiseas gràbhaidh, a chuidicheas le bhith a’ leasachadh an ìre gràbhaidh agus an roghnachd.
Gasaichean stèidhichte air bromine: leithid bromine (Br2) agus bromine iodide (IBr). Faodaidh gasaichean stèidhichte air bromine coileanadh gràbhaladh nas fheàrr a thoirt seachad ann am pròiseasan gràbhaladh sònraichte, gu h-àraidh nuair a thathar a’ gràbhaladh stuthan cruaidh leithid silicon carbide.
Gasaichean stèidhichte air naitridean agus ogsaidean: leithid naitridean trifluoride (NF3) agus ogsaidean (O2). Mar as trice, bidh na gasaichean seo air an cleachdadh gus na suidheachaidhean ath-bhualaidh atharrachadh sa phròiseas gràbhaladh gus roghnachd agus stiùireadh an gràbhaladh a leasachadh.
Bidh na gasaichean seo a’ coileanadh gràbhaladh mionaideach air uachdar an stuth tro mheasgachadh de sputtering corporra agus ath-bheachdan ceimigeach rè gràbhaladh plasma. Tha roghainn gas gràbhaladh an urra ris an t-seòrsa stuth a tha ri ghràbhaladh, riatanasan roghnachd an gràbhaladh, agus an ìre gràbhaladh a tha thu ag iarraidh.
Àm puist: 8 Gearran 2025
